东芝推出新一代DTMOSVI高速二极管型功率MOSFET，助力提高电源效率中国上海，2024年2月22日东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在新一代
不管大家承认不承认，目前在先进工艺上，中国大陆较国际领先水平还是有一定差距的，比如台积电、三星进入了3nm，而我们呢？明面上只有14nm，暗地里，就不清楚了。 同时从产能上，就算我们有7nm工艺，其产能也是非常少的，否则Mate60系列，如今都无法敞开供应，就是因为麒麟9000S产能不够啊
IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源——QA_(T)-R3G系列
一、产品介绍 基于国内外新能源行业发展态势，半导体应用市场持续扩大；对于新能源充电桩、光伏SVG行业，IGBT/SiC MOSFET的应用广泛，而驱动电源作为专为IGBT/SiC MOSFET驱动器提供驱动能力的来源，市场潜力巨大
ROHM推出全新Power Stage IC：可替代Si MOSFET，器件体积减少99％
近年来，为了实现可持续发展的社会，对消费电子和工业设备的电源提出了更高的节能要求。针对这种需求，GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望。在此背景下，全球知名
安森美 （onsemi） M3S EliteSiC MOSFET 让车载充电器升级到 800V 电池架构
作者：安森美产品推广工程师Vladimir Halaj自电动汽车 （EV） 在汽车市场站稳脚跟以来，电动汽车制造商一直在追求更高功率的传动系统、更大的电池容量和更短的充电时间。为满足客户需求和延长行驶里程，电动汽车制造商不断增加车辆的电池容量
Nexperia首创交互式数据手册，助力工程师随时随地分析MOSFET行为
无需人工计算，参数可随用户输入动态响应奈梅亨，2023年5月11日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出与功率MOSFET配套使用的新一代交互式数据手册，大幅提升了对半导体工程师的设计支持标准
Nexperia推出首款采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET（ASFET），管脚尺寸缩小60％
RDS（on）额外降低40％，功率密度提高58倍，适合电信和热插拔计算应用奈梅亨，2023年3月22日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V热插拔专用
英飞凌推出PQFN 封装、双面散热、25－150V OptiMOS 源极底置功率MOSFET
【2023年01月13日，德国慕尼黑讯】未来电力电子系统的设计将持续推进，以实现最高水平的性能和功率密度。为顺应这一发展趋势，英飞凌科技有限公司（FSE代码：IFX ／ OTCQX代码：IFNNY）推
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET
全新栅极驱动IC支持1200V功率器件，隔离电压为3．75kVrms2023 年 1 月 30日，中国北京讯 － 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出一款全新栅极驱动IC
Nexperia推出用于热插拔的全新特定型应用MOSFET （ASFET），SOA性能翻倍
全面优化12V热插拔和软启动应用中控制浪涌电流的RDS（on）和SOA奈梅亨，2022年11月18日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布扩展其适用于热插拔和软启动的ASFET产品组合，推出10款全面优化的25V和30V器件
Nexperia推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合
在LFPAK封装中采用新型SOA(安全工作区)Trench技术,可提供出色的瞬态线性模式性能,为设计人员带来体积更小、更可靠的选择。奈梅亨,2022年5月12日:基础半导体器件领域的专家Nexperia推出了用于自动化安全气囊应用的专用MOSFET (ASFET)新产品组合
东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET,可大幅提高电源效率
中国上海,2022年3月31日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工艺,适用于工业设备开关电源,其中包括数据中心电源和通信基站电源
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